收藏本站
Si4354DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
30
24
I D = 250 μA
0.0
18
- 0.2
12
- 0.4
- 0.6
- 0.8
6
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10- 2
10- 1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
10
1 ms
1
I D(on)
10 ms
Limited
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
dc
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 71 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72967
S09-0392-Rev. C, 09-Mar-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4355-B1A-FM IC EZRADIO FM RECEIVER SI4355
SI4388DY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SI4390DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
SI4396DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4398DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
SI4404DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4406DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4410DY MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4355 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:EASY-TO-USE, LOW-CURRENT OOK/(G)FSK SUB-GHZ RECEIVER
Si4355-B1A-FM 功能描述:射频接收器 Si4355 EZRadio Receiver RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:GPS Receiver 封装 / 箱体:QFN-24 工作频率:4.092 MHz 工作电源电压:3.3 V 封装:Reel
Si4355-B1A-FMR 功能描述:射频接收器 Si4355 EZRadio Rcvr RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:GPS Receiver 封装 / 箱体:QFN-24 工作频率:4.092 MHz 工作电源电压:3.3 V 封装:Reel
SI4355-B1A-GM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SI4355 EZRADIO RECEIVER - Bulk
SI4356ADY 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si4356ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 26A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4356ADY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 26A 6.5W 5.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4356-B1A-FM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SI4356 STANDALONE SUB-GHZ RECE 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SI4356 STANDALONE SUB-GHZ RECEIVER - Rail/Tube 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC RX SUB-GHZ STAND ALONE QFN 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:RF Receiver Si4356 Standalone Sub-GHz Receiver